DCM是一個隔離和穩(wěn)壓的DC-DC轉換器。
ZVS降壓穩(wěn)壓器是一個穩(wěn)壓和非隔離的DC-DC轉換器。
在上一段已經(jīng)提到，為了有更高的效率，不會重復隔離和穩(wěn)壓。
雖然穩(wěn)壓是由DCM和ZVS降壓穩(wěn)壓器重復進行的，由于ZVS降壓穩(wěn)壓器的高效率，從高電壓到所需電壓的整體效率可以達到高于90%。
ChiP——轉換器級封裝：
圖11（ChiP等效電路熱模型）
DCM DC-DC轉換器通過突破性封裝技術——轉換器級封裝（ChiP）技術進行封裝。
為了實現(xiàn)更高的功率效率、密度和設計靈活性，需要功率元件封裝技術的持續(xù)改進，因此，ChiP的推出優(yōu)化了電氣和熱性能。
ChiP產品的設計在PCB兩面都有功率元件，可減少由于寄生的損耗，通過整個封裝均勻徹底地散熱，并利用了頂部和底部表面散熱。
ChiP產品封裝在熱增強型模壓化合物中，降低了溫差，為便于使用熱管理配件，提供了平整的模塊頂部和底部表面，如散熱器、冷板、熱管等。
ZVS降壓拓撲結構：
如圖11所示，除了一個連接在輸出電感器兩端的附加箝位開關，ZVS降壓拓撲結構與傳統(tǒng)降壓轉換器相同。增加的箝位開關允許將能量存儲在輸出電感器中，用來實現(xiàn)零電壓開關。
圖12（ZVS降壓拓撲結構）
圖12顯示了ZVS降壓拓撲結構的時序圖，它主要由三個狀態(tài)組成，如下所示。
- Q1導通階段
假設Q1在諧振過渡后的近零電壓開啟。當D-S電壓幾乎為零時，Q1在零電流開啟。MOSFET和輸出電感器中的電流斜升，準時達到由Q1決定的峰值電流。在Q1導通階段，能量存儲在輸出中，并為輸出電容器充電。在Q1導通階段，Q1中的功耗是由MOSFET導通電阻決定的；開關損耗可以忽略不計。
- Q2導通階段
Q1迅速關閉，接著是一個很短時間的體二極管導通，這增加了可以忽略不計的功耗。接下來，Q2開啟，存儲在輸出電感器中的能量被傳送到負載和輸出電容器。當電感器電流達到零時，同步MOSFET保持足夠長的時間，在輸出電感器中存儲一些來自輸出電容器的能量。電感器電流為負值。
- 箝位階段
一旦控制器已確定有足夠的能量存儲在電感器中，同步MOSFET關閉，箝位開關開啟，箝位Vs節(jié)點至輸出電壓。箝位開關隔離輸出電感器電流與輸出，同時以幾乎無損的方式用電流來循環(huán)存儲的能量。在箝位階段，由輸出電容器提供的輸出在該階段持續(xù)很短時間。 當箝位階段結束時，箝位開關被打開。輸出電感器中儲存的能量與Q1和Q2輸出電容產生諧振，導致Vs節(jié)點對輸入電壓振鈴。 這個振鈴對Q1的輸出電容放電，減少了Q1的米勒電荷，并為Q2的輸出電容充電。當Vs節(jié)點幾乎等于輸入電壓時，這允許以無損方式方式開啟Q1。
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