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日本東北大學(xué)開發(fā)出用于STT-MRAM的更耐久的磁隧道結(jié)

發(fā)布日期:2019-06-18??來源:航空工業(yè)信息網(wǎng)我要投稿我要評(píng)論

【據(jù)日本東北大學(xué)網(wǎng)站2019年6月19日?qǐng)?bào)道】日本東北大學(xué)的科研人員開發(fā)出一種新型磁隧道結(jié)(MTJ),可以使自扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的熱穩(wěn)定因子增加1.5-2倍,無需提高寫入電流、或降低隧道磁阻比。研究小組發(fā)明了一種結(jié)構(gòu),將CoFeB/MgO界面數(shù)量較常規(guī)結(jié)構(gòu)增加了兩倍,增加了界面磁各項(xiàng)異性,同時(shí)優(yōu)化了MTJ的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而確保在提高熱穩(wěn)定因子的同時(shí),不增加功耗、不降低隧道磁阻比。研究團(tuán)隊(duì)采用了與當(dāng)前批產(chǎn)STT-MRAM相同的材料組,并保持了與第一代10納米技術(shù)兼容,相關(guān)論文《Novel Quad interface MTJ technology and its first demonstration with high thermal stability and switching efficiency for STT-MRAM beyond 2Xnm》已在6月9-14日日本京都舉行的VLSI技術(shù)和電路年會(huì)上發(fā)表。研究人員認(rèn)為該項(xiàng)技術(shù)可以用于批產(chǎn),可擴(kuò)展STT-MRAM在消費(fèi)類電子領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。

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